S波段单片低噪声放大器

• 作者: 彭龙新 李建平 蒋幼泉 魏同立
• 来源期刊: 东南大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 静电
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-0505.2004.01.002

摘要

S波段单片低噪声放大器采用了0.5 μm φ3英寸(76.2 mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源(+5 V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量, 并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300 MHz范围内,增益在24.5～26 dB范围内, 相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4 dB,输入输出驻波最大1.4,1 dB压缩输出功率大于10.5 dBm.另外,还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
2	蒋幼泉		34	192	9.0	11.0
3	彭龙新	东南大学微电子中心	21	143	7.0	11.0
5	李建平		8	49	4.0	7.0