X波段单片低噪声放大器芯片

• 作者: 周正林 彭龙新 林金庭 蒋幼泉 魏同立
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 484-486
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009

摘要

报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金庭		30	238	10.0	14.0
2	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
3	蒋幼泉		34	192	9.0	11.0
4	彭龙新	东南大学微电子中心	21	143	7.0	11.0
8	周正林		1	5	1.0	1.0