在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件

• 作者: 兰中文 姬海宁 孔祥栋 王巍 王豪才 秦跃利 高能武
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ce∶YIG石榴石 磁光性能 磁性能 二氧化硅衬底
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 276-280
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|TN2
• 字数: 3342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.04.008

摘要

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究.用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜.本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响.结果表明:采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0.8deg/μm.同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃.所得Ge1YIG薄膜的参数表明:所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电学院光电工程系	72	264	9.0	10.0
3	兰中文	电子科技大学微电子与固体电子学院	111	1184	19.0	29.0
4	王豪才	电子科技大学微电子与固体电子学院	53	681	13.0	24.0
5	姬海宁	电子科技大学微电子与固体电子学院	20	249	9.0	15.0