用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术

• 作者: 冯伯儒 刘娟 刘明 宗德蓉 张锦 陈宝钦
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 激光光刻技术 相移掩模 准分子光刻
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 微细加工光学技术
• 页码范围: 1-4,39
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2004.01.001

摘要

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术.对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究.研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	陈宝钦	中国科学院微电子中心	50	361	11.0	16.0
3	刘娟	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	43	249	9.0	13.0
4	张锦	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	26	204	8.0	13.0
5	冯伯儒	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	30	293	9.0	16.0
6	宗德蓉	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	8	36	4.0	5.0