掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

• 作者: 仇志军 崔利杰 戴宁 曾一平 桂永胜 疏小舟 禇君浩 郭少令 黄志明
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs/InAlAs量子阱 磁输运 对称态 反对称态
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 329-332
• 页数: 4页
• 分类号: O482.5
• 字数: 2384字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.05.003

摘要

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV.此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系.