InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

• 作者: 周文政 商丽燕 崔利杰 曾一平 李东临 林铁 桂永胜 褚君浩 郭少令 高宏玲 黄志明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In0.5Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As.反弱局域 SdH振荡 二维电子气
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4099-4104
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.076

摘要

研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能△0和自旋轨道耦合常数a两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas-SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.