单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性

• 作者: 仇志军 周文政 姚炜 崔利杰 朱博 林铁 桂永胜 褚君浩 郭少令
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAlAs/InGaAs单量子阱 SdH振荡 二维电子气 磁致子带间散射
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2044-2048
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.04.083

摘要

研究了双子带占据的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B＜1.5T)下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d2 /dB2-1/B的快速傅里叶变换谱中,观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频(2f1)外,还观察到对温度不敏感的频率f1-f2.这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量,两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射.