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摘要:
利用低温化学气相沉积法,在经过热氧化处理的单晶硅片(100)上引入硅源;再利用气相转移法,将硅片上的硅源晶化为Silicalite-1沸石晶体;最后,利用二次生长法与直接原位晶化法相结合,将含有沸石晶种的硅片放入沸石合成前驱液中,在单晶硅片上合成出了连续致密的薄Silicalite-1沸石膜,单晶硅片没有被腐蚀.
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文献信息
篇名 单晶硅片上Silicalite-1沸石薄膜的合成
来源期刊 化学通报(网络版) 学科
关键词 硅片 Silicalite-1 沸石 沸石薄膜 气体传感器
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围
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字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘靖 大连理工大学精细化工国家重点实验室 76 510 13.0 17.0
2 唐祯安 大连理工大学传感技术研究所 142 1281 17.0 29.0
3 邹龙江 大连理工大学材料测试分析中心 49 280 10.0 14.0
4 刘毅慧 大连理工大学精细化工国家重点实验室 26 583 14.0 24.0
5 杨梅 大连理工大学传感技术研究所 7 62 4.0 7.0
6 高金成 大连理工大学精细化工国家重点实验室 2 0 0.0 0.0
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硅片
Silicalite-1
沸石
沸石薄膜
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