降低适用于高密记录写入磁头的Fe-N薄膜矫顽力的研究

• 作者: 张静 李丹 潘峰 田中卓 雷牧云
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Fe-N薄膜 矫顽力 RF磁控溅射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 159-163
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2479字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.007

摘要

用RF磁控溅射方法,在高功率下制备厚度为2μm的薄膜,当N含量在5.9～8.5%原子分数范围内,形成α′+α″相时,4πMs=2.2T,Hc=58.6A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.用该方法在不同的本底真空度下制备Fe-N薄膜,发现较高真空下比较低真空下制备的Fe-N薄膜磁学性能要好.P=1000W时,较高真空下制备的Fe-N薄膜的矫顽力为34.8A/m,较低真空下制备的Fe-N薄膜的矫顽力为58.6A/m.AFM测试表明,在功率条件相同情况下,较高真空下制备的Fe-N薄膜表面光滑、平整、起伏小、薄膜致密;而较低真空下制备的Fe-N薄膜,表面粗糙、起伏大、薄膜较疏松、不均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丹	清华大学材料系	58	932	17.0	30.0
2	张静		1	1	1.0	1.0
3	雷牧云		16	94	6.0	9.0
4	田中卓	北京科技大学材料物理系	14	75	5.0	8.0
5	潘峰	清华大学材料系	30	196	6.0	13.0