HIPIB烧蚀等离子体沉积DLC薄膜结构及性能

• 作者: 徐卫平 梅显秀 谭畅 马腾才
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 强流脉冲离子束 类金刚石薄膜 结构 性能
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 工程物理、工程力学
• 页码范围: 469-473
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8608.2004.04.001

摘要

利用强流脉冲离子束(HIPIB)烧蚀等离子体在Si(100)基体上快速沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250 keV,束流密度为250 A/cm2,脉宽为70 ns的离子束(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上,使石墨充分电离产生稠密的烧蚀等离子体,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积出非晶的DLC薄膜,基片温度选择25 ℃和100 ℃.XPS分析显示DLC薄膜中sp3 C的含量达到40%.扫描电镜和原子力显微镜分析得知薄膜表面比较光滑,100 ℃时沉积的DLC薄膜的表面更光滑,表面粗糙度为0.927 nm,其摩擦因数为0.10;TEM分析表明DLC薄膜的相结构是非晶的;X射线衍射分析得出薄膜的宏观残余应力为压应力,其大小约为4 GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马腾才	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	81	688	15.0	21.0
2	梅显秀	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	12	104	5.0	10.0
3	徐卫平	大连理工大学材料工程系	14	200	8.0	14.0
4	谭畅	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	2	17	2.0	2.0