一种新型n-区多层渐变掺杂SiGe/Si功率开关二极管

• 作者: 王彩琳 马丽 高勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si异质结 功率二极管 多层渐变掺杂 快速软恢复
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 232-235
• 页数: 4页
• 分类号: TN313.4
• 字数: 3629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.02.005

摘要

n-区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+(SiGe)-n--n+异质结功率二极管,对该新结构的反向恢复特性及正反向I-V特性进行了模拟,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析.与n-区固定掺杂的普通p+(SiGe)-n--n+二极管相比,在正向压降基本不发生变化的前提下,渐变掺杂后的器件反向恢复时间可缩短一半,反向峰值电流能降低33%,反向恢复软度因子可提高1.5倍.并且,随着n-区渐变掺杂的层数增多,反向恢复特性越好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽	西安理工大学应用物理系	23	62	4.0	6.0
2	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
3	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0