P-nc-si:H薄膜材料及在微晶硅薄膜太阳电池上应用

• 作者: 任慧智 孙建 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 其他
• 关键词: RF-PECVD VHF-PECVD 纳米 微晶硅(μC-Si) 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 381-384
• 页数: 4页
• 分类号: TH86301|O8115|TH9430F|TH8280P
• 字数: 1716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2004.04.001

摘要

对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大.用比较高沉积功率和少量B的方法获得了高电导率、宽光学带隙和高晶化率的P型纳米Si薄膜材料(σ＝0.7 S/cm,Eopt＞2.0 eV).将这种材料应用于微晶硅(μc-Si)薄膜太阳能电池中,电池结构为:glass/SnO2/ZnO/p-nc-Si:H/I-μC-Si:H/n-Si:H.首次获得效率η＝4.2 %的μC-Si薄膜太阳能电池(Voc＝0.399 V,Jsc＝20.56 mA/cm2,FF＝51.6 %).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锋	南开大学光电子薄膜器件研究所	13	154	7.0	12.0
2	熊绍珍	南开大学光电子薄膜器件研究所	63	380	12.0	18.0
3	耿新华	南开大学光电子薄膜器件研究所	62	364	13.0	17.0
4	孙建	南开大学光电子薄膜器件研究所	67	311	10.0	14.0
5	赵颖	南开大学光电子薄膜器件研究所	105	1195	16.0	33.0
6	张晓丹	南开大学光电子薄膜器件研究所	57	247	7.0	14.0
7	魏长春	南开大学光电子薄膜器件研究所	24	126	6.0	10.0
8	任慧智	南开大学光电子薄膜器件研究所	2	31	2.0	2.0