当前IC制造的几种新工艺

• 作者: 翁寿松
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 芯片 IC制造 新工艺
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 制造与工艺
• 页码范围: 70-75
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 4568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.02.017

摘要

2001<国际半导体技术指南(ITRS)>要求2004年IC芯片特征尺寸达90 nm.为了实现这个规划,必须采用IC制造的多种新工艺,如铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁寿松		95	534	13.0	18.0