锗酸铅(Pb5Ge3O11)铁电单晶的生长与缺陷研究

• 作者: 吴宪君 徐家跃 金蔚青
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗酸铅单晶 坩埚下降法 晶体生长 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 350-353
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.017

摘要

采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅(Pb5Ce3O11)单晶.所用Pt坩埚尺寸为φ25mm × 200mm和φ10mm×60mi,炉温控制在高于熔点50～80℃,固液界面温度梯度小于25℃/cm,生长速率小于0.5mm/h.所得晶体呈浅棕色,最大尺寸达φ25mm×60mm.采用光学显微镜(OM)及电子探针(EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷(气泡、包裹体等),讨论了产生这些缺陷的原因,提出了控制及减少此类缺陷的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐家跃	中国科学院上海硅酸盐研究所	47	396	12.0	17.0
2	金蔚青	中国科学院上海硅酸盐研究所	36	173	6.0	11.0
3	吴宪君	中国科学院上海硅酸盐研究所	3	7	2.0	2.0