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摘要:
采用化学腐蚀法分别在单晶Si和多晶Si上制备了多孔Si.对室温下HF、HNO3的不同配比进行了实验比较,用显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察了多孔Si的表面形貌,用紫外激发观察了它的荧光光谱并用反射光谱测试结果研究了多孔Si的光学特性.采用一步多孔Si法制备了1 cm×1 cm的单晶和多晶Si电池,比较了制备多孔Si前后电池的各项性能参数.实验表明:多孔Si对于提高单晶Si和多晶Si电池的电学特性都有重要作用.
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文献信息
篇名 多孔硅在多晶Si太阳电池中的应用研究
来源期刊 光电子·激光 学科 工学
关键词 化学腐蚀法 太阳能电池 多孔Si
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目 光电子器件和系统
研究方向 页码范围 575-577
页数 3页 分类号 TN304
字数 1429字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-0086.2004.05.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐征 北京交通大学光电子技术研究所 114 739 13.0 21.0
2 王文静 35 350 10.0 18.0
3 励旭东 15 191 8.0 13.0
4 赵慧 北京交通大学光电子技术研究所 15 190 7.0 13.0
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研究主题发展历程
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化学腐蚀法
太阳能电池
多孔Si
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期刊影响力
光电子·激光
月刊
1005-0086
12-1182/O4
大16开
天津市南开区红旗南路263号
6-123
1990
chi
出版文献量(篇)
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