Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

• 作者: 刘俊 董会宁 郑瑞伦 陈希明
• 来源期刊: 重庆大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 新种子层 Nb含量 零场电阻率 磁电阻
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 页码范围: 98-101
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|TM271
• 字数: 3731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-582X.2004.12.025

摘要

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈希明	重庆邮电学院信息电子学研究所	34	142	6.0	11.0
2	刘俊	重庆邮电学院信息电子学研究所	71	570	13.0	19.0
4	郑瑞伦	西南师范大学物理学院	46	181	8.0	10.0
7	董会宁	重庆邮电学院信息电子学研究所	41	206	6.0	13.0