计算机硬磁盘CMP中抛光工艺参数对去除率的影响

• 作者: 潘国顺 肖宏清 雒建斌 雷红 马俊杰
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 硬磁盘 化学机械抛光(CMP) 纳米二氧化硅(SiO2)胶体 去除率(MRR)
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TP3
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2004.01.001

摘要

对于计算机硬磁盘的生产,为了最大限度地提高盘片生产量,降低生产成本,要求化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称CMP)中在保证优质表面质量情况下,实现最大去除量(Material Removal,简称MR)和去除率(Material Removal Rate,简称MRR).本文讨论了硬盘片的化学机械抛光过程中的外加压力、转速和抛光时间对去除率的影响.实验采用含多种添加剂的纳米二氧化硅(SiO2)胶体作为研磨液在双面抛光机上对镍磷敷镀铝镁合金基片进行精抛光.结果表明,不降低表面质量,MRR随着压力的增加而增大到一个最大值,随后随着压力继续增加而减小;增加抛光机下盘的转速将使MRR变大到一定值后再下降;增加抛光时间将使MR增大,而MRR变化是非线性的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘国顺	清华大学摩擦学国家重点实验室	27	358	12.0	18.0
2	雒建斌	清华大学摩擦学国家重点实验室	96	1802	22.0	37.0
3	马俊杰	清华大学摩擦学国家重点实验室	8	339	7.0	8.0
4	雷红	清华大学摩擦学国家重点实验室	6	193	5.0	6.0