退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究

• 作者: 孙洵 尹鑫 张光辉 房昌水 李义平 牛爱芹 王圣来 王波 高樟寿
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 热退火 KDP晶体 消光比 干涉
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 437-440
• 页数: 4页
• 分类号: TN24
• 字数: 1872字
• 语种: 中文

摘要

研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性.实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线.但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低.