超细CeO2磨料对硅片的抛光性能研究

• 作者: 陈康敏 陈建清 陈志刚 陈杨
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: CeO2磨料 化学机械抛光 硅片 粗糙度
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 材料工程
• 页码范围: 743-745
• 页数: 3页
• 分类号: TG356.28
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2004.08.022

摘要

用均相沉淀法制备了不同形状和尺寸的CeO2超细粉体,并配制成不同pH值的抛光液对硅片进行化学机械抛光.研究了不同粒径CeO2磨料的抛光效果,结果表明,微米级的CeO2磨料粒径比较大,切削深度比较深,材料的去除是以机械作用为主.随着磨料粒径的减小,切削深度随之减小,材料以塑性流动的方式去除,最终在2μm的范围内得到了微观表面粗糙度Ra=0.120nm的超光滑表面.实验证明,CeO2磨料对硅片具有良好的抛光效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志刚	江苏大学材料科学与工程学院	90	1299	21.0	30.0
5	陈康敏	江苏大学材料科学与工程学院	136	1294	19.0	28.0
6	陈杨	江苏大学材料科学与工程学院	10	230	8.0	10.0
7	陈建清	江苏大学材料科学与工程学院	6	160	4.0	6.0