纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究

• 作者: 谭刚
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米CeO2抛光料 化学机械抛光(CMP) 抛光机理 粗糙度
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳米材料及特性
• 页码范围: 341-343
• 页数: 3页
• 分类号: TB44
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.119

摘要

通过自制纳米CeO2超细粉体,并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究了纳米CeO2抛光料对硅片的抛光效果,解释了纳米级抛光料的化学机械抛光原理.实验结果表明:由于纳米抛光料粒径小,切削深度小,故材料去除采用塑性流动方式.使用纳米CeO2抛光料最终在1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra为0.124nm的超光滑表面,满足了产品的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭刚	中国工程物理研究院电子工程研究所	10	47	4.0	6.0