CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究

• 作者: 任锐 何知宇 叶林森 朱世富 温才 赵北君 钟雨航
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硒化镉 机械化学抛光 抛光液 金相显微镜 电阻率
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 939-942
• 页数: 4页
• 分类号: O786
• 字数: 2472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008

摘要

采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
4	任锐	四川大学材料科学系	14	51	5.0	6.0
5	钟雨航	四川大学材料科学系	3	29	3.0	3.0
6	温才	四川大学材料科学系	2	10	2.0	2.0
7	叶林森	四川大学材料科学系	2	15	2.0	2.0