单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能

• 作者: 吴玉程 张立德 解挺
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 纳米线 制备 气-固机制 荧光
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 功能材料制备加工技术
• 页码范围: 3027-3029
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+2
• 字数: 1558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.847

摘要

介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500～700 nm),发光峰位于567 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉程	合肥工业大学材料科学与工程学院	356	3745	28.0	45.0
5	张立德	中国科学院固体物理研究所	101	1916	23.0	41.0
6	解挺	合肥工业大学摩擦学研究所	91	1358	20.0	32.0