低功耗相关双取样电路结构

• 作者: 仇玉林 金湘亮 陈杰
• 来源期刊: 科技开发动态
• 学科: 工学
• 关键词: N型MOS管 功耗 相关双取样电路结构 差分处理
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 页码范围: 47
• 页数: 1页
• 分类号: TN431
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仇玉林	中国科学院微电子中心	54	383	10.0	17.0
2	陈杰	中国科学院微电子中心	247	3126	30.0	49.0
3	金湘亮	中国科学院微电子中心	14	209	6.0	14.0