层间反铁磁耦合磁性多层膜结构的统计模型

• 作者: 荣铮 郭维
• 来源期刊: 首都师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Ising模型 多层膜 自发磁化
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 29-37
• 页数: 9页
• 分类号: O414.21
• 字数: 8755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-9398.2005.01.007

摘要

以s=1/2的层状Ising模型为基础,建立一个描述层间反铁磁耦合的有限层磁性薄膜的统计模型.应用变分累积展开(VCE)方法的一阶近似,导出了系统自发磁化强度、序参量、临界温度、磁化率的表达式,及其随层数L的变化关系.讨论了有外场存在时,系统对外磁场的响应,并且作了数值计算.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	荣铮		2	4	2.0	2.0
2	郭维	首都师范大学物理系	1	2	1.0	1.0