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摘要:
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为0.7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能.
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文献信息
篇名 基于SOI材料的阵列波导光栅的制作
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 复用/解复用器 阵列波导光栅(AWG) 信道间隔 中心波长 相邻信道串扰
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 143-146
页数 4页 分类号 TN252
字数 2473字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.02.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李芳 中国科学院半导体研究所光电子研发中心 156 1240 17.0 28.0
2 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研发中心 44 362 13.0 16.0
3 方青 中国科学院半导体研究所光电子研发中心 8 14 3.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
复用/解复用器
阵列波导光栅(AWG)
信道间隔
中心波长
相邻信道串扰
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
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3
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28003
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