NO和N2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响

• 作者: 叶志镇 周婷 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型ZnO 导电性能 MOCVD
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 955-958
• 页数: 4页
• 分类号: O472|O485
• 字数: 2300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.030

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm,同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	周婷	浙江大学硅材料国家重点实验室	20	75	3.0	8.0
5	徐伟中	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	134	4.0	5.0