MGxB2起始成分对不可逆场和临界电流密度的影响

• 作者: J.-C. GRIVEL N.H. AMDERSEN 丁泽军 张建武 浦其荣 王关生 许高杰
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgxB2 Jc Hirr
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 854-858
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 2290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.089

摘要

我们用固相反应法成功合成了MgxB2(0.5≤x≤1.3)系列样品,并对其结构,临界电流密度(Jc)和不可逆场(Hirr)进行了研究.实验结果表明,随着x增大晶格常数a逐渐增大,而晶格常数c在x=0.9左右达到最大值.所有x>0.5的样品在零场下的Jc值都在106A/cm2左右.然而在高磁场下,Mg缺位的样品的Jc值要比Mg富足的样品的Jc值大.20K时,Mg0.8B2样品的不可逆场达到最大值5.2T,比MgB2样品要高出0.8T.研究表明,高磁场下Hirr和Jc的增大可能与MgB4纳米粒子的形成有关.