碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究

• 作者: 庄春泉 李向阳 汤英文 游达 许金通 龚海梅
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子谱 HgCdTe 表面硫化 电学性质
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 碲镉汞红外器件
• 页码范围: 835-836,848
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2|O472+.1
• 字数: 1905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.011

摘要

利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向阳		110	438	10.0	14.0
2	许金通		21	40	4.0	5.0
3	庄春泉		2	9	1.0	2.0
4	汤英文		3	13	2.0	3.0
5	游达		2	5	1.0	2.0