基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.
推荐文章
γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究
晶体生长
提拉法
γ-LiAlO2
LiAl1-xGaxO2
掺质
γ-LiAlO2晶体的生长缺陷研究
γ-LiAlO2晶体
缺陷
位错
同步辐射X射线形貌术
GaN衬底
γ-LiAlO2晶体生长挥发和腐蚀研究
铝酸锂
导向温度梯度法
氧化锂
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 提拉法生长大尺寸γ-LiAlO2单晶的研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 晶体生长 提拉法 γ-LiAlO2 外延 GaN 衬底 红外
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 278-282,223
页数 6页 分类号 O782
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.018
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (4)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1986(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2005(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2005(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
晶体生长
提拉法
γ-LiAlO2
外延
GaN
衬底
红外
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
论文1v1指导