Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜的电化学制备、表征及性能研究

• 作者: 张志荣 王为 贾法龙 黄庆华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 温差电材料薄膜 Bi2-xSbxTe3化合物 电沉积 塞贝克系数
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1234-1238
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 1937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.034

摘要

采用电化学控电位沉积的方法制备了Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜.通过ESEM、XPS、XRD、EDS等方法对电沉积薄膜的形貌、结构和组成进行了研究,并测试了在不同电位下制备的Bi2-xSbxTe3薄膜的温差电性能.研究结果表明,在含有Bi3+、HTeO+2和SbO+的溶液中,采用控电位沉积模式,可实现铋、锑、碲三元共沉积,生成锑掺杂的Bi2Te3化合物Bi2-xSbxTe3.通过调节沉积电位,可控制电沉积Bi2-xSbxTe3薄膜的掺杂浓度,从而影响材料的温差电性能.控制沉积电位为-0.5V条件下制备的温差电材料薄膜的塞贝克系数最大,为213μV·K-1,其组成为Bio.5Sb1.5Te3.随着沉积电位的负移,电沉积出的Bi2-xSbxTe3薄膜的结晶状态将逐渐由等轴晶转变为树枝晶.研究证明,电沉积方法可以制备出性能优异的薄膜温差电材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王为	天津大学化工学院应用化学系	125	1597	22.0	34.0
2	黄庆华	天津大学化工学院应用化学系	9	101	4.0	9.0
3	张志荣	天津大学化工学院应用化学系	14	65	4.0	7.0
4	贾法龙	天津大学化工学院应用化学系	6	50	4.0	6.0