混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备的MgB2超导厚膜样品的成分分析

• 作者: 冯庆荣 吕莹 徐军 朱萌 王新峰 王晓楠 贾璋 郭蕙璞 陈晋平
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2超导膜 SEM图 EDX X射线能谱
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 46-53
• 页数: 8页
• 分类号: O51
• 字数: 4870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.01.008

摘要

本文介绍了基于混合物理化学气相沉积法(HPCVD),以B2H6为硼源,在(000l)取向的Al2O3单晶衬底上,制备了MgB2超导体厚膜样品.该样品平均厚度约为40μm.其Tc(onset)=39K,Tc(0)=37.2K.X光衍射图显示该膜沿(101)方向生长,具有少量Mg和MgO杂相.SEM图像、X射线能量损失谱以及背散射电子衍射图证实了这两种杂相的存在,并显示该样品成分富镁.样品表面的镁与空气接触形成MgO膜,在一定程度上阻止了MgB2样品进一步被氧化.对于MgB2厚膜成膜过程及反应机理,我们提出了一种新的推断.