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宽禁带半导体技术
宽禁带半导体技术
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摘要：
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宽禁带功率半导体器件技术
氮化镓
功率器件
碳化硅
宽禁带半导体
测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计
中子
γ混合场
反冲质子法
宽禁带半导体
快中子注量率
补偿电流并联结构
一种GaN宽禁带功率放大器的设计
宽禁带半导体
功率放大器
附加效率
GaN
SiC半导体材料和工艺的发展状况
碳化硅器件
器件工艺
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电子产品世界
主办单位：
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
美国国际数据集团(IDG)
出版周期：
月刊
ISSN：
1005-5517
CN：
11-3374/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市复兴路15号138室
邮发代号：
82-552
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
11765
总下载数（次）
14
总被引数（次）
19602
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