GaAs纳米颗粒复合薄膜光吸收特性研究

• 作者: 陈贵宾
• 来源期刊: 淮阴师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 光吸收谱 半导体纳米颗粒 复合薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TP383
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6876.2005.01.005

摘要

对射频磁控共溅射技术制备的GaAs半导体纳米颗粒复合薄膜光吸收特性进行了研究.与大块GaAs材料相比,复合薄膜的光学吸收边发生了明显的蓝移,GaAs颗粒尺寸3.2nm的复合薄膜吸收边蓝移达1.16eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈贵宾	淮阴师范学院物理系	18	47	4.0	5.0