杂质Zn在InP中的扩散机制

• 作者: 叶玉堂 吴云峰 张雪琴 焦世龙 王昱琳 范超 赵爱英
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: InP 间隙-替代机制 Kick-out机制
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 光电子器件与技术
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 2500字
• 语种: 中文

摘要

介绍了杂质Zn在InP中的两种扩散机制,间隙-替代机制和Kick-out机制.InP为n型时,扩散机制为间隙-替代式;InP为p型时,扩散机制为Kick-out式.重点介绍了三种不同模型,解释Zn在InP中通过间隙-替代机制进行扩散时,空穴浓度与Zn浓度不同的原因,并评价了三种模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴云峰	电子科技大学光电信息学院	106	653	13.0	18.0
2	叶玉堂	电子科技大学光电信息学院	170	1471	17.0	30.0
3	焦世龙	电子科技大学光电信息学院	16	90	6.0	8.0
4	张雪琴	电子科技大学光电信息学院	6	22	3.0	4.0
5	范超	电子科技大学光电信息学院	21	102	7.0	8.0
6	王昱琳	电子科技大学光电信息学院	25	115	6.0	9.0
7	赵爱英	电子科技大学光电信息学院	4	11	2.0	3.0