单电子器件制备技术的新进展

• 作者: 彭英才 赵新为
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 器件有源区 制备技术 工作特性
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 202-208
• 页数: 7页
• 分类号: TN405
• 字数: 5536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2005.05.003

摘要

介绍了近年内,以不同材料类型和结构形式为器件有源区的单电子晶体管在制备技术方面所取得的一些新进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0