PSD光电位置传感器的实现及SOI结构研究

• 作者: 安涛 张新 王彩琳 高勇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电位置传感器 电极 灵敏度 位置分辨率 工艺 线性度 SOI
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 236-240
• 页数: 5页
• 分类号: TN29|TP212.14
• 字数: 4395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2005.03.004

摘要

分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程.对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600～1200nm,峰值响应波长为760nm,位置分辨能力为5 μm,位置探测误差为±50 μm,暗电流为1.4×10-10A(VR=-5 V),峰值灵敏度为0.8634 A/W.同时为提高器件的响应速度,提出了基于SOI技术的PSD器件结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
2	王彩琳	西安理工大学自动化与信息工程学院	43	203	8.0	12.0
3	安涛	西安理工大学自动化与信息工程学院	50	182	7.0	11.0
4	张新	西安理工大学自动化与信息工程学院	11	49	4.0	6.0