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CdSSe半导体纳米晶体的实验研究
CdSSe半导体纳米晶体的实验研究
作者:
颜其礼
黄平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CdSSe
半导体纳米晶体
退火
摘要:
用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25~2.58 nm之间.
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文献信息
篇名
CdSSe半导体纳米晶体的实验研究
来源期刊
四川师范大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
CdSSe
半导体纳米晶体
退火
年,卷(期)
2005,(6)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
680-682
页数
3页
分类号
TN304.26
字数
2028字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-8395.2005.06.014
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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研究主题发展历程
节点文献
CdSSe
半导体纳米晶体
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川师范大学学报(自然科学版)
主办单位:
四川师范大学(中国
成都)
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-8395
CN:
51-1295/N
开本:
大16开
出版地:
成都市静安路5号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
3968
总下载数(次)
9
总被引数(次)
17783
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