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摘要:
用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25~2.58 nm之间.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 CdSSe半导体纳米晶体的实验研究
来源期刊 四川师范大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 CdSSe 半导体纳米晶体 退火
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 680-682
页数 3页 分类号 TN304.26
字数 2028字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8395.2005.06.014
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研究主题发展历程
节点文献
CdSSe
半导体纳米晶体
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川师范大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-8395
51-1295/N
大16开
成都市静安路5号
1978
chi
出版文献量(篇)
3968
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9
总被引数(次)
17783
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