离子辅助沉积对TiO2薄膜应力的影响

• 作者: 刘旭 沈伟东 赵永江 顾培夫 黄腾超
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: TiO2薄膜 离子辅助沉积 应力
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1816-1818,1832
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2005.11.035

摘要

对在离子辅助沉积(IAD)和常规工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力进行了试验研究,并探讨了利用台阶仪测量镀膜前后基板表面曲率的方法.结果表明,当基板温度低于100℃时,在离子辅助沉积工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力略大于在常规工艺条件下镀制的薄膜的应力;随着薄膜厚度的增加,TiO2薄膜应力逐渐减小,从125 nm的392 MPa下降到488 nm的30 MPa;离子源阳极电压对薄膜应力影响较大,在100 V时薄膜应力为164MPa,当电压升高到190 V时,应力下降到75 MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈伟东	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	39	296	8.0	16.0
2	顾培夫	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	141	1761	23.0	34.0
3	刘旭	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	214	1718	22.0	32.0
4	黄腾超	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	16	91	7.0	9.0
5	赵永江	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	2	57	2.0	2.0