JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性

• 作者: 任迪远 余学峰 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: JFET输入双极运算放大器 60Co γ辐照 剂量率效应 退火
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 755-760
• 页数: 6页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 5196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.10.007

摘要

本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(1、0.1、0.01及10-4、6.4×10-5 Gy(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的"后损伤"现象.文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
2	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
3	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
4	艾尔肯	中国科学院新疆理化技术研究所	17	152	7.0	12.0
5	余学峰	中国科学院新疆理化技术研究所	19	125	7.0	10.0