碳化硅CMOS倒相器温度特性

• 作者: 杨银堂 王平 王旭
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC CMOS倒相器 温度特性 电压转移 阈值电压
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 396-399
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 1922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.03.016

摘要

建立了6H-SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H-SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,该倒相器在600 K的高温下仍可以正常工作,且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300～600 K的温度范围内,倒相器阈值电压由1.218 V变化到1.274 V,变化幅度较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	王平	西安电子科技大学宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室	32	201	9.0	12.0
3	王旭	西安电子科技大学宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室	26	137	8.0	10.0