亚微米DSOI MOSFET非平衡热电耦合模拟

• 作者: 梁新刚 段传华
• 来源期刊: 工程热物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: DSOI MOSFET 亚微米 非平衡 热电耦合
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1010-1012
• 页数: 3页
• 分类号: TK124
• 字数: 2800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-231X.2005.06.035

摘要

本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质.结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小,具有很好的热电特性,在亚微米器件中的确存在非平衡能量状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁新刚	清华大学工程力学系过程节能与传热强化教育部重点实验室	115	865	16.0	23.0
2	段传华	清华大学工程力学系过程节能与传热强化教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0