As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究

• 作者: 周孝好 孙立忠 段鹤 陆卫 陈效双 黄燕
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲镉汞 高密勒指数表面 钝化 吸附 置换
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 碲镉汞外延和衬底材料
• 页码范围: 864-866
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.019

摘要

文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨.同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究.计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室	95	442	12.0	16.0
2	黄燕	中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室	26	255	7.0	15.0
3	陈效双	中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室	53	271	8.0	12.0
4	孙立忠	中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室	11	48	5.0	6.0
5	周孝好	中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室	9	44	4.0	6.0
6	段鹤	中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室	5	19	2.0	4.0