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摘要:
研究了等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)的光波导膜层的光学特性,论述了沉积工艺参量和退火处理对膜层性能的影响,优化工艺获得了高质量的波导膜层,成功设计制作了在1 550nm中心波长损耗低于0.1db/cm的平面光波导和阵列波导光栅(AWG)器件.
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文献信息
篇名 SiO2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究
来源期刊 光通信研究 学科 工学
关键词 平面光波导 SiO2波导 等离子体增强化学汽相沉积
年,卷(期) 2005,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 68-70
页数 3页 分类号 TN814.6
字数 2359字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-8788.2005.05.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡业发 武汉理工大学机电工程学院 177 1769 21.0 31.0
2 江征风 武汉理工大学机电工程学院 93 653 14.0 17.0
3 刘文 9 68 5.0 8.0
4 陈思乡 武汉理工大学机电工程学院 4 18 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
平面光波导
SiO2波导
等离子体增强化学汽相沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光通信研究
双月刊
1005-8788
42-1266/TN
大16开
武汉市洪山区邮科院路88号
1975
chi
出版文献量(篇)
2524
总下载数(次)
3
总被引数(次)
10254
论文1v1指导