PIN管的延迟击穿性能初步实验研究

• 作者: 丛培天 孙铁平 曾正中
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: DBD器件 PIN二极管 延迟击穿
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 317-320
• 页数: 4页
• 分类号: TN78
• 字数: 2320字
• 语种: 中文

摘要

延迟击穿器件(DBD)是一种新型半导体开关.研究了国产PIN二极管的延迟击穿效应,主要进行了单管、串联双管和串并联多管阵列PIN二极管器件的延迟击穿实验.实验结果显示,单管、双管和多管阵列PIN器件都可以陡化输入脉冲前沿,获得快前沿的输出脉冲.单管工作电压2.2 kV,脉冲前沿陡度由0.95 kV/ns提高到1.37 kV/ns双管工作电压4.2 kV,脉冲前沿陡度由1.7 kV/ns提高到2.3 kV/ns;多管阵列工作电压8.0 kV,脉冲前沿陡度由2.4 kV/ns提高到3.2 kV/ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙铁平		31	137	7.0	10.0
2	丛培天		60	384	11.0	15.0
3	曾正中		51	343	12.0	15.0