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PIN管的延迟击穿性能初步实验研究
PIN管的延迟击穿性能初步实验研究
作者:
丛培天
孙铁平
曾正中
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
DBD器件
PIN二极管
延迟击穿
摘要:
延迟击穿器件(DBD)是一种新型半导体开关.研究了国产PIN二极管的延迟击穿效应,主要进行了单管、串联双管和串并联多管阵列PIN二极管器件的延迟击穿实验.实验结果显示,单管、双管和多管阵列PIN器件都可以陡化输入脉冲前沿,获得快前沿的输出脉冲.单管工作电压2.2 kV,脉冲前沿陡度由0.95 kV/ns提高到1.37 kV/ns双管工作电压4.2 kV,脉冲前沿陡度由1.7 kV/ns提高到2.3 kV/ns;多管阵列工作电压8.0 kV,脉冲前沿陡度由2.4 kV/ns提高到3.2 kV/ns.
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文献信息
篇名
PIN管的延迟击穿性能初步实验研究
来源期刊
强激光与粒子束
学科
工学
关键词
DBD器件
PIN二极管
延迟击穿
年,卷(期)
2005,(2)
所属期刊栏目
粒子束及加速器技术
研究方向
页码范围
317-320
页数
4页
分类号
TN78
字数
2320字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
孙铁平
31
137
7.0
10.0
2
丛培天
60
384
11.0
15.0
3
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2015(1)
引证文献(1)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
DBD器件
PIN二极管
延迟击穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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