Bi2212体系的层间耦合对临界电流密度的影响

• 作者: 冯双久 李广 李晓光 陈春霞
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 层间耦合 临界电流密度 磁通钉扎
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 1873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.01.006

摘要

通过对具有不同层间耦合强度的Bi2212单晶样品的磁滞回线的测量,得到了样品的临界电流密度Jc随层间耦合强度和磁场的变化关系.实验结果显示,样品的层间耦合减弱, Jc明显减小.同时发现Jc与磁场间存在Jc∝exp(-Hα)关系,进一步分析表明,Jc的这种磁场依赖关系是对数钉扎势垒模型的必然结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯双久	安徽大学物理与材料科学学院	19	44	4.0	6.0
5	陈春霞	中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室材料科学与工程系	1	1	1.0	1.0
6	李广	中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室材料科学与工程系	2	1	1.0	1.0
7	李晓光	中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室材料科学与工程系	3	1	1.0	1.0