GaN/AlxGa1-xN量子点中类氢杂质位置对激子态的影响

• 作者: 戴宪起 郑冬梅 黄凤珍
• 来源期刊: 河南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 类氢杂质 量子点 自发极化和压电极化 激子结合能 发光波长
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2367.2005.04.011

摘要

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宪起	河南师范大学物理与信息工程学院	42	133	6.0	9.0
2	黄凤珍	河南师范大学物理与信息工程学院	5	29	2.0	5.0
3	郑冬梅	河南师范大学物理与信息工程学院	2	26	2.0	2.0