半导体工艺中的新型刻蚀技术--ICP

• 作者: 王晨飞
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: ICP 等离子体 蚀刻
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 6131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2005.01.004

摘要

本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP-Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构.根据近年来国内外ICP技术的发展现状和发展趋势,对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ-Ⅴ族化合物等方面的应用作了一些简要介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晨飞	中国科学院上海技术物理研究所	4	46	3.0	4.0