二氧化硅的反应离子刻蚀

• 作者: 卢文娟 张玉林 郝慧娟
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束曝光 反应离子刻蚀 RF功率
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 制造工艺与设备
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3094字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.07.011

摘要

对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究.刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100 W、150 W、200 W、250 W、300 W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率与射频功率和压力之间、气体流量的关系曲线.实验结果表明:随着射频功率、压力的增大,刻蚀速率不断加快,在某一值上达到最大值.再继续增加射频功率、压力,刻蚀速率反而会下降.随着气体流量的增加,刻蚀速度不断降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉林	山东大学控制科学与工程学院	56	465	11.0	19.0
2	卢文娟	山东大学控制科学与工程学院	7	89	4.0	7.0
3	郝慧娟	山东大学控制科学与工程学院	5	49	3.0	5.0