Fe/GaAs/Fe隧道结的磁电阻研究

• 作者: 任俊 余万伦 李玲
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧道结 电子输运 界面无序散射 TMR值
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 316-319
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+3
• 字数: 3257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2005.03.017

摘要

用第一性原理的方法研究了Fe/GaAs/Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR值对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与实验值吻合得很好.研究表明,界面无序的散射是造成TMR实验值很低的主要原因,而不是以往研究所认为的是界面处的自旋翻转的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余万伦	四川师范大学物理系	8	17	3.0	3.0
2	李玲	四川师范大学物理系	33	61	5.0	6.0
3	任俊	四川师范大学物理系	1	2	1.0	1.0