离子注入PIN辐射探测器的测试分析

• 作者: 宁宝俊 张太平 张录 田大宇 邹积清 陈鸿飞
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: PIN辐射探测器 噪声 分辨率
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 457-460
• 页数: 4页
• 分类号: TL814
• 字数: 2619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2005.05.001

摘要

利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4 keV,能谱分辨率约为16.9 keV.由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁宝俊	北京大学微电子所	15	100	5.0	9.0
2	张太平	北京大学微电子所	8	77	5.0	8.0
3	张录	北京大学微电子所	7	30	4.0	5.0
4	田大宇	北京大学微电子所	12	46	5.0	6.0
5	陈鸿飞	北京大学地球与空间科学学院空间物理与应用技术研究所	28	67	4.0	6.0
6	邹积清	北京大学地球与空间科学学院空间物理与应用技术研究所	17	89	5.0	8.0